瑞萨电子基于瑞萨突破性的薄层埋入式氧化硅（SOTB™）工艺技术，并以Arm®Cortex®-M0+核为基础构建了一个新的超低功耗成员，从而扩展了其嵌入式控制器的RE系列产品阵容。 RE01 Group阵容中的最新成员是256 KB闪存变体，此外1.5 MB闪存嵌入式控制器已经在量产。 新的嵌入式控制器具有最小3.16 mm×2.88 mm WLBGA的封装尺寸，经过优化，可用于IoT设备中用于传感器控制的更紧凑的产品设计，用于智能家居，智能建筑，环境感应，结构监控，跟踪器，和可穿戴设备。

新的嵌入式控制器获得了EEMBC®ULPMark™-CoreProfile（CP）认证的705分，证明了其一流的能效。 这项高分是通过使用瑞萨专有的SOTB工艺技术实现的，该技术可以极大地降低活动和待机电流消耗。

新型嵌入式控制器在工作期间的电流消耗低至25μA/ MHz，在待机状态下的电流消耗低至400 nA，在超低电流消耗方面处于世界领先地位。 客户可以使用瑞萨的超低Iq ISL9123作为外部降压稳压器，进一步将工作电流消耗降低至12μA/ MHz。

RE系列嵌入式控制器具有超低功耗，可以大大延长嵌入式设备的电池寿命。 它们还可以在需要来自多个传感器的实时数据处理的应用中进行高速操作，即使由输出电流很小的紧凑型电池或能量收集设备供电也是如此。 当前可用的带有1.5 MB闪存的RE系列MCU最适合需要大存储容量的应用，例如图像数据处理或通过无线通信更新无线固件，而新的RE01 Group最适合用于紧凑型设备和用于传感器控制的IoT设备。